文章浏览阅读1.2k次。目前在嵌入式应用中使用较多的flash主要有两种非易失闪存技术：NOR和NAND。这里做一些简单比较。NOR是intel在98年提出的，而NAND是东芝提出的。NOR可以再芯片内执行：XIP（eXecute In Place），也即是在flash内部执......

文章浏览阅读4.2k次，点赞2次，收藏25次。一、Flash介绍-NorNANDXIP(excute in place代码可以直接运行)Yesno性能(擦除)非常慢(5s)快(3ms)性能(写)慢快性能(读)快快可靠性较高，位反转的比例小于NAND Flash的10%比较低，位反转比较常见，必须......

文章浏览阅读4.6k次，点赞2次，收藏17次。1.2.1. 什么是FlashFlash全名叫做Flash Memory，从名字就能看出，是种数据存储设备，存储设备有很多类，Flash属于非易失性存储设备(Non-volatile Memory Device)，与此相对应的是易失性存储设备(Volat......

文章浏览阅读863次。一：地址空间的分配1:s3c2440是32位的，所以可以寻址4GB空间，内存（SDRAM）和端口（特殊寄存器），还有ROM都映射到同一个4G空间里.2:开发板上一般都用SDRAM做内存flash（nor、nand）来当做ROM。其中nand flash没有地......

1.简介W25Q64颗粒单位page：256 Bytessector： 4k =16 pageblock：32k = 128pageThe W25Q64BV array is organized into 32,768 programmable pages of 256-bytes each. Up to 256 bytes can be programmed at a time. Pages can be erased in groups of 16 (sector erase_25q64...

转载：CFI Flash， JEDEC Flash ，Parellel Flash, SPI Flash， Nand Flash，Nor Flash的区别和联系简单说就是，Flash，按照内部访问接口不同，分为两种，一种是就像访问SDRAM一样，按照数据/地址总线直接访问的Nor Flash，另一种是只有8位(X8)/16位(......

文章浏览阅读1.3w次，点赞2次，收藏19次。一直认为"Nor flash没有坏块，而Nand flash出厂时可能就有坏块"，推想NOR flash一旦存在坏块就报废了，挺可惜的，今天查找资料才了解到NOR flash 是存在坏块的，只不过是在内对坏块进......

文章浏览阅读177次。Nand启动：对于2440而言其内部有cpu和内部的4K大小的SDRAM，外接上Nand Flash和SDRAM，使用Nand方式进行启动的时候，会将Nand Flash的前4K内容复制到2440 片内的4K的SDRAM中启动时内部4K的起始地址为0；Nor启动：2440外接N......

ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是ReadOnly Memory的缩写，RAM是RandomAccess Memory的缩写。ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。RAM有两大类，一种称为静态RA......

资源浏览查阅247次。mini2440的norflash与nandflash启动过程区别,一、调试经验；二、问答；三、ARM的norflash与nandflash启动过程区别。更多下载资源、学习资料请访问CSDN文库频道...